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          图片信息
          FDS6679AZ图片
          基本技术信息:
        2. 电子器件型号:FDS6679AZ
        3. 原始制造厂商:Fairchild,仙童,飞兆
        4. 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
        5. 产品应用分类:单端场效应管
        6. 点击此处下载FDS6679AZ的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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        8. 技术参数详解:
        9. 制造商产品型号:FDS6679AZ
        10. 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
        11. 描述:MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
        12. 系列:PowerTrench
        13. FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
        14. FET 功能:逻辑电平门
        15. 漏源极电压 (Vdss):30V
        16. 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Ta)
        17. 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 13A,10V
        18. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
        19. 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):96nC @ 10V
        20. 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3845pF @ 15V
        21. 功率 - 最大值:1W
        22. 安装类型:表面贴装
        23. 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
        24. 供应商器件封装:8-SOIC N
        25. FDS6679AZ均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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